Arrays of Si vacancies in 4H-SiC produced by focused Li ion beam implantation
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
2045-2322
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Arrays of Si vacancies in 4H-SiC produced by focused Li ion beam implantation ; volume:11 ; number:1 ; day:11 ; month:2 ; year:2021 ; pages:1-8 ; date:12.2021
Scientific reports ; 11, Heft 1 (11.2.2021), 1-8, 12.2021
- Urheber
-
Pavunny, Shojan P.
Yeats, Andrew L.
Banks, Hunter B.
Bielejec, Edward
Myers-Ward, Rachael L.
DeJarld, Matthew T.
Bracker, Allan S.
Gaskill, D. Kurt
Carter, Samuel G.
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1038/s41598-021-82832-x
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2022110319135553941859
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:30 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Pavunny, Shojan P.
- Yeats, Andrew L.
- Banks, Hunter B.
- Bielejec, Edward
- Myers-Ward, Rachael L.
- DeJarld, Matthew T.
- Bracker, Allan S.
- Gaskill, D. Kurt
- Carter, Samuel G.
- SpringerLink (Online service)
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