Spatially Distributed Ramp Reversal Memory in VO 2 (Adv. Electron. Mater. 10/2023)
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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Spatially Distributed Ramp Reversal Memory in VO 2 (Adv. Electron. Mater. 10/2023) ; volume:9 ; number:10 ; year:2023 ; extent:1
Advanced electronic materials ; 9, Heft 10 (2023) (gesamt 1)
- Urheber
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Basak, Sayan
Sun, Yuxin
Banguero, Melissa Alzate
Salev, Pavel
Schuller, Ivan K.
Aigouy, Lionel
Carlson, Erica W.
Zimmers, Alexandre
- DOI
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10.1002/aelm.202370046
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2023101015224871627407
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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14.08.2025, 10:46 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Basak, Sayan
- Sun, Yuxin
- Banguero, Melissa Alzate
- Salev, Pavel
- Schuller, Ivan K.
- Aigouy, Lionel
- Carlson, Erica W.
- Zimmers, Alexandre