Korrelation von Materialqualität und Ausfallmechanismen leistungselektronischer SiC-Bauelemente

Hochschulschrift

Object Details

• Alternative title: Detection of material defects in 4H SiC and their impact on electrical failure modes of SiC MOSFETs
• Location: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Extent: Online-Ressource
• Language: Deutsch
• Notes: Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2022

References and Relationships

• Bibliographic citation: FAU Studien aus der Elektrotechnik ; 18

Classification and Topics

• Classification: Elektrotechnik, Elektronik
• Keyword: MOS-FET ; Siliciumcarbid ; Kristallzüchtung ; Gitterbaufehler ; Ausfallwahrscheinlichkeit ; Siliciumcarbid ; Leistungselektronik ; Siliciumcarbid ; Homoepitaxie ; Halbleitertechnologie ; Materialcharakterisierung ; Photolumineszenz ; Defekt ; Elektronisches Bauelement

Contributors, Places and Time

• Event: Veröffentlichung
• (where): Erlangen
• (who): FAU University Press
• (when): 2023
• Creator: Baierhofer, Daniel
• Contributor: Erlbacher, Tobias ; Fischer, Georg

Further information

• DOI: 10.25593/978-3-96147-620-6
• URN: urn:nbn:de:bvb:29-opus4-214951
• Rights: Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
• Last update: 15.08.2025, 7:33 AM CEST