Alkoxysilane‐Treated SnO 2 Interlayer for Energy Band Alignment of SnO 2 Electron Injection Layer in Inverted Perovskite Light‐Emitting Diodes
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Alkoxysilane‐Treated SnO 2 Interlayer for Energy Band Alignment of SnO 2 Electron Injection Layer in Inverted Perovskite Light‐Emitting Diodes ; day:04 ; month:04 ; year:2024 ; extent:8
Advanced materials interfaces ; (04.04.2024) (gesamt 8)
- Urheber
-
Kim, Yu Jin
Kim, Bong Woo
Im, Sang Hyuk
- DOI
-
10.1002/admi.202400020
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2024040414374325076597
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:02 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Kim, Yu Jin
- Kim, Bong Woo
- Im, Sang Hyuk