Monografie
Theorie der Spinrelaxation und Intersubband-Absorption in Halbleiter-Quantenstrukturen
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Regensburg, Univ., Diss., 2004
- Identifier
-
97143591X
Thema
Drei-Fünf-Halbleiter ; Dotierter Halbleiter ; Quantenwell ; Spinrelaxation ; Infrarotabsorption ; Dotierter Halbleiter ; Drei-Fünf-Halbleiter ; Galliumarsenid / Aluminiumarsenid / Mischkristall ; Akzeptor ; Donator ; Halbleiterphysik ; Defektelektron ; Spinrelaxation ; Sättigbare Absorption ; Infrarotabsorption; Hochschulschrift; Online-Publikation
Beteiligte Personen und Organisationen
Kainz, Josef
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:52 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Kainz, Josef
Ähnliche Objekte (12)
Investigation and manipulation of excitonic complexes in two-dimensional semiconductors for quantum-optical applications
Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride
Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden
Manganese in indium arsenide : charge switching and electronic structure on the atomic scale
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)-(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)-(NAs)-Laserdioden
Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)
Identifikation von Transport- und Rekombinationskanälen zur Optimierung (AlGaIn)N basierter licht-emittierender Halbleiterdioden
Untersuchungen an Elektronen-Donatoren in Halbleitern mit Hilfe der Overhauser-Spektroskopie
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs-Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturen
Geordnetes InGaAsP : grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen
Modeling of optical properties of semiconductor heterostructures
Investigation and manipulation of excitonic complexes in two-dimensional semiconductors for quantum-optical applications
Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride
Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden
Manganese in indium arsenide : charge switching and electronic structure on the atomic scale
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)-(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)-(NAs)-Laserdioden
Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)
Identifikation von Transport- und Rekombinationskanälen zur Optimierung (AlGaIn)N basierter licht-emittierender Halbleiterdioden
Untersuchungen an Elektronen-Donatoren in Halbleitern mit Hilfe der Overhauser-Spektroskopie
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs-Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturen
Geordnetes InGaAsP : grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen
Modeling of optical properties of semiconductor heterostructures
Investigation and manipulation of excitonic complexes in two-dimensional semiconductors for quantum-optical applications
Kurzwellige Diodenlaser auf der Basis der Gruppe-III-Nitride
Einfluss der Lumineszenzmechanismen und der elektrischen Kontakte auf die Effizienz von InGaN-Leuchtdioden
Manganese in indium arsenide : charge switching and electronic structure on the atomic scale
Struktur innerer Grenzflächen von (GaIn)-(NAs)-Heterostrukturen und Eigenschaften von (GaIn)-(NAs)-Laserdioden
Stickstoffinduzierte Bandbildung in den metastabilen Halbleitersystemen Ga(N,As) und (Ga,In)(N,As)
Identifikation von Transport- und Rekombinationskanälen zur Optimierung (AlGaIn)N basierter licht-emittierender Halbleiterdioden
Untersuchungen an Elektronen-Donatoren in Halbleitern mit Hilfe der Overhauser-Spektroskopie
Effizienz von GaInN-Leuchtdioden : Struktur aktiver Schichten unter dem Einfluss substratinduzierter Defekte
Herstellung und Charakterisierung von kanten- und vertikalemittierenden (Ga)InAs-Ga(In)As-Quantenpunkt(laser)strukturen
Geordnetes InGaAsP : grundsätzliche Untersuchungen und elektro-optische Anwendungen