AlGaN/GaN high electron mobility transistor oscillator for high temperature and high frequency
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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In: 10.1049/ell2.12069
- Klassifikation
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Elektrotechnik, Elektronik
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Aachen
- (wer)
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Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
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2021
- Urheber
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Palacios, Paula
Wei, Muh-Dey
Zweipfennig, Thorsten
Ghareeb, Ahmed Hamed
Beckmann, Carsten
Kalisch, Holger
Vescan, Andrei
Negra, Renato
- DOI
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10.18154/RWTH-2021-01829
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2021021702483167244356
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
25.03.2025, 13:54 MEZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Palacios, Paula
- Wei, Muh-Dey
- Zweipfennig, Thorsten
- Ghareeb, Ahmed Hamed
- Beckmann, Carsten
- Kalisch, Holger
- Vescan, Andrei
- Negra, Renato
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2021