Hochschulschrift
In-situ-Analyse des epitaktischen Wachstums von III-V-Halbleitern mit der Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS)
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISBN
-
9783928943116
3928943111
- Maße
-
21 cm
- Umfang
-
171 S.
- Ausgabe
-
1. Aufl.
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss., 1994
- Schlagwort
-
Drei-Fünf-Halbleiter
Epitaxie
Reflexionsspektroskopie
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Berlin
- (wer)
-
W und T, Wiss.-und-Technik-Verl.
- (wann)
-
1994
- Urheber
-
Reinhardt, Frank
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:20 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Reinhardt, Frank
- W und T, Wiss.-und-Technik-Verl.
Entstanden
- 1994
Ähnliche Objekte (12)
Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Ga2Se3-Schichten auf III-V-Halbleitern
Fehlangepasste Epitaxie von III/V-Halbleitern
Magnetooptische Untersuchungen an ferromagnetischen III-V-Halbleitern
Beiträge zur Heterogenkatalyse an III-V-Halbleitern
Kernresonanzuntersuchungen zur schnellen Diffusion in ausgewählten III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Analyse tiefer Störstellen in III-V-Halbleitern [Drei-fünf-Halbleitern]
Metallorganische Addukt-Epitaxie von binären und ternären III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Zeitaufgelöste Photoluminiszenz-Untersuchungen an nanostrukturierten III-V-Halbleitern
Anisotropie des epitaktischen Wachstums und Aspekte der Oxidation von Siliziumkarbid
Epitaktischer Einbau und optische Eigenschaften Seltener Erden in III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern
Piezoresistive Sensoren auf der Basis von III-V-Halbleitern
Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Ga2Se3-Schichten auf III-V-Halbleitern
Fehlangepasste Epitaxie von III/V-Halbleitern
Magnetooptische Untersuchungen an ferromagnetischen III-V-Halbleitern
Beiträge zur Heterogenkatalyse an III-V-Halbleitern
Kernresonanzuntersuchungen zur schnellen Diffusion in ausgewählten III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Analyse tiefer Störstellen in III-V-Halbleitern [Drei-fünf-Halbleitern]
Metallorganische Addukt-Epitaxie von binären und ternären III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Zeitaufgelöste Photoluminiszenz-Untersuchungen an nanostrukturierten III-V-Halbleitern
Anisotropie des epitaktischen Wachstums und Aspekte der Oxidation von Siliziumkarbid
Epitaktischer Einbau und optische Eigenschaften Seltener Erden in III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern
Piezoresistive Sensoren auf der Basis von III-V-Halbleitern
Wachstum und Charakterisierung von epitaktischen Ga2Se3-Schichten auf III-V-Halbleitern
Fehlangepasste Epitaxie von III/V-Halbleitern
Magnetooptische Untersuchungen an ferromagnetischen III-V-Halbleitern
Beiträge zur Heterogenkatalyse an III-V-Halbleitern
Kernresonanzuntersuchungen zur schnellen Diffusion in ausgewählten III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Analyse tiefer Störstellen in III-V-Halbleitern [Drei-fünf-Halbleitern]
Metallorganische Addukt-Epitaxie von binären und ternären III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Zeitaufgelöste Photoluminiszenz-Untersuchungen an nanostrukturierten III-V-Halbleitern
Anisotropie des epitaktischen Wachstums und Aspekte der Oxidation von Siliziumkarbid
Epitaktischer Einbau und optische Eigenschaften Seltener Erden in III-V-Halbleitern [Halbleitern]
Transiente Ladungsträgerdynamik und optische Verstärkung in III-V-Halbleitern