Hochschulschrift

Fourier-Photoadmittanzspektroskopie an photovoltaischen Halbleiterbauelementen

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
III, 139 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Berlin, Techn. Univ., Diss., 1997

Schlagwort
Galliumarsenid
Indiumarsenid
Aluminiumarsenid
Heterostruktur
Photostrom
FT-IR-Spektroskopie
MOS
Photostrom
FT-IR-Spektroskopie

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:18 MESZ

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Objekttyp

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