Hochschulschrift
The dangling-bond defect in silicon : Insights into electronic and structural effects from first-principles calculations of the EPR-parameters
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Anmerkungen
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Paderborn, Universität Paderborn, Diss., 2012
- Ereignis
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Veröffentlichung
- (wo)
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Paderborn
- (wer)
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Universitätsbibliothek
- (wann)
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2012
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
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urn:nbn:de:hbz:466:2-9715
- Rechteinformation
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Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
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17.04.2025, 15:11 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Pfanner, Gernot
- Neugebauer, Jörg
- Schmidt, W. Gero
- Universitätsbibliothek
Entstanden
- 2012