High‐Performance Flexible Bottom‐Gate Organic Field‐Effect Transistors with Gravure Printed Thin Organic Dielectric

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Englisch

Erschienen in
High‐Performance Flexible Bottom‐Gate Organic Field‐Effect Transistors with Gravure Printed Thin Organic Dielectric ; volume:1 ; number:3 ; year:2014 ; extent:6
Advanced materials interfaces ; 1, Heft 3 (2014) (gesamt 6)

Urheber
Vaklev, Nikolay L.
Müller, Robert
Muir, Beinn V. O.
James, David T.
Pretot, Roger
van der Schaaf, Paul
Genoe, Jan
Kim, Ji‐Seon
Steinke, Joachim H. G.
Campbell, Alasdair J.

DOI
10.1002/admi.201300123
URN
urn:nbn:de:101:1-2022122604551880019341
Rechteinformation
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:35 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Vaklev, Nikolay L.
  • Müller, Robert
  • Muir, Beinn V. O.
  • James, David T.
  • Pretot, Roger
  • van der Schaaf, Paul
  • Genoe, Jan
  • Kim, Ji‐Seon
  • Steinke, Joachim H. G.
  • Campbell, Alasdair J.

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