High‐Performance Flexible Bottom‐Gate Organic Field‐Effect Transistors with Gravure Printed Thin Organic Dielectric
- Standort
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Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
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Online-Ressource
- Sprache
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Englisch
- Erschienen in
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High‐Performance Flexible Bottom‐Gate Organic Field‐Effect Transistors with Gravure Printed Thin Organic Dielectric ; volume:1 ; number:3 ; year:2014 ; extent:6
Advanced materials interfaces ; 1, Heft 3 (2014) (gesamt 6)
- Urheber
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Vaklev, Nikolay L.
Müller, Robert
Muir, Beinn V. O.
James, David T.
Pretot, Roger
van der Schaaf, Paul
Genoe, Jan
Kim, Ji‐Seon
Steinke, Joachim H. G.
Campbell, Alasdair J.
- DOI
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10.1002/admi.201300123
- URN
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urn:nbn:de:101:1-2022122604551880019341
- Rechteinformation
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Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:35 MESZ
Datenpartner
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Vaklev, Nikolay L.
- Müller, Robert
- Muir, Beinn V. O.
- James, David T.
- Pretot, Roger
- van der Schaaf, Paul
- Genoe, Jan
- Kim, Ji‐Seon
- Steinke, Joachim H. G.
- Campbell, Alasdair J.