Hochschulschrift
AlGaN/GaN MBE 2DEG heterostructures : interplay between surface-, interface- and device properties
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
IV, 213 S.
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Ill., graph. Darst.
Aachen, Techn. Hochsch., Diss., 2003 (Nicht für den Austausch)
- Klassifikation
-
Ingenieurwissenschaften und Maschinenbau
Physik
- Schlagwort
-
Aluminiumnitrid
Galliumnitrid
Drei-Fünf-Halbleiter
Heterostruktur-Bauelement
HEMT
Molekularstrahlepitaxie
- Urheber
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
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- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 13:34 MESZ
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Objekttyp
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Beteiligte
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