Archivale
K 5/0 - Abschlussbericht zur Forschungs- und Entwicklungsarbeit: "Silizium-Epitaxie auf Substraten großen Durchmessers"
Enthält u. a.: Untersuchung des Einflusses hochdotierter diffundierter Gebiete im Substrat auf den spezifischen Widerstand der Epitaxieschicht. - Diagramme.
- Archivaliensignatur
-
504 Mikroel Stdf 11
- Kontext
-
Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf >> Verfahren >> Epitaxie
- Bestand
-
504 Mikroel Stdf (82315) Rep. 504 VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf
- Laufzeit
-
1973
- Weitere Objektseiten
- Letzte Aktualisierung
-
07.04.2025, 11:38 MESZ
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Objekttyp
- Archivale
Entstanden
- 1973
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