Effects on selective epitaxial growth of strained-SiGe p-MOSFETs on various (001) Si recess structures
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- ISSN
-
2251-7235
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
online resource.
- Erschienen in
-
Effects on selective epitaxial growth of strained-SiGe p-MOSFETs on various (001) Si recess structures ; volume:11 ; number:4 ; day:30 ; month:1 ; year:2018 ; pages:313-317 ; date:12.2017
Journal of theoretical and applied physics ; 11, Heft 4 (30.1.2018), 313-317, 12.2017
- Klassifikation
-
Physik
- Urheber
-
Hong, Min-Hao
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Perng, Dung-Ching
SpringerLink (Online service)
- DOI
-
10.1007/s40094-018-0272-5
- URN
-
urn:nbn:de:1111-201805171796
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 11:00 MESZ
Datenpartner
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Beteiligte
- Hong, Min-Hao
- Perng, Dung-Ching
- SpringerLink (Online service)
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