Hochschulschrift
Die Charakterisierung vergrabener Schichten nach umdotierender Ionenimplantation in Silizium im Hinblick auf das "Buried channel charge coupled device"
- Location
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Dimensions
-
30 cm
- Extent
-
261 S.
- Language
-
Deutsch
- Notes
-
graph. Darst.
Zugl.: Berlin, Techn. Univ., Diss.
- Event
-
Veröffentlichung
- (where)
-
Berlin-Wannsee
- (who)
-
Hahn-Meitner-Inst. für Kernforschung
- (when)
-
1981
- Creator
-
Bach, Heinz-Gunter
- Table of contents
- Rights
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Last update
-
11.06.2025, 1:51 PM CEST
Data provider
This object is provided by:
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Deutsche Nationalbibliothek. If you have any questions about the object, please contact the data provider.
Object type
- Hochschulschrift
Associated
- Bach, Heinz-Gunter
- Hahn-Meitner-Inst. für Kernforschung
Time of origin
- 1981
Other Objects (12)
Optische Charakterisierung von Silizium nach Ionenimplantation
Dosisabhängigkeit der Amorphisierung von Silizium durch Ionenimplantation
Untersuchung zur Erzeugung hochohmiger Bauelement-Bereiche in Silizium durch Ionenimplantation
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
Ladungstransport in ionenimplantierten buried-channel-MOS-Transistoren
Verbundvorhaben Ionenimplantation
Experimente und Modellrechnungen zur Untersuchung mikroskopischer Prozesse bei der Ionenimplantation in Silizium
Durch Ionenimplantation dotierte Schichten in Silizium und ihre Anwendung in ortsbestimmenden Zählern
Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach Ionenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur
Die Rückstreumethode als Verfahren zur Bestimmung des Profiles von Strahlenschäden in durch Ionenimplantation dotiertem Silizium
Buried
Buried
Optische Charakterisierung von Silizium nach Ionenimplantation
Dosisabhängigkeit der Amorphisierung von Silizium durch Ionenimplantation
Untersuchung zur Erzeugung hochohmiger Bauelement-Bereiche in Silizium durch Ionenimplantation
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
Ladungstransport in ionenimplantierten buried-channel-MOS-Transistoren
Verbundvorhaben Ionenimplantation
Experimente und Modellrechnungen zur Untersuchung mikroskopischer Prozesse bei der Ionenimplantation in Silizium
Durch Ionenimplantation dotierte Schichten in Silizium und ihre Anwendung in ortsbestimmenden Zählern
Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach Ionenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur
Die Rückstreumethode als Verfahren zur Bestimmung des Profiles von Strahlenschäden in durch Ionenimplantation dotiertem Silizium
Buried
Buried
Optische Charakterisierung von Silizium nach Ionenimplantation
Dosisabhängigkeit der Amorphisierung von Silizium durch Ionenimplantation
Untersuchung zur Erzeugung hochohmiger Bauelement-Bereiche in Silizium durch Ionenimplantation
Präparation und Charakterisierung lateraler Transportstrukturen in Silizium, hergestellt mittels fokussierter Ionenimplantation
Ladungstransport in ionenimplantierten buried-channel-MOS-Transistoren
Verbundvorhaben Ionenimplantation
Experimente und Modellrechnungen zur Untersuchung mikroskopischer Prozesse bei der Ionenimplantation in Silizium
Durch Ionenimplantation dotierte Schichten in Silizium und ihre Anwendung in ortsbestimmenden Zählern
Untersuchung des tiefenaufgelösten Strahlenschadenprofils in Silizium nach Ionenimplantation mit Hilfe der MOS-Struktur
Die Rückstreumethode als Verfahren zur Bestimmung des Profiles von Strahlenschäden in durch Ionenimplantation dotiertem Silizium
Buried