Monografie
Electron paramagnetic resonance of process induced defects in silicon
- Sprache
-
Englisch
- Umfang
-
122 S.
- Anmerkungen
-
Paderborn, Univ., Diss., 2001
- Identifier
-
962103217
Thema
Silicium ; Siliciumdioxid ; Grenzfläche ; Störstelle ; EDESR ; Hochschulschrift
Beteiligte Personen und Organisationen
Langhanki, Bertram
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf Teile des Objekts ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
16.08.2023, 18:23 MESZ
Objekttyp
- Monografie
Beteiligte
- Langhanki, Bertram
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