Recombination Activity of Crystal Defects in Epitaxially Grown Silicon Wafers for Highly Efficient Solar Cells
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Erschienen in
-
Recombination Activity of Crystal Defects in Epitaxially Grown Silicon Wafers for Highly Efficient Solar Cells ; day:23 ; month:07 ; year:2024 ; extent:10
Physica status solidi / A. A, Applications and materials science ; (23.07.2024) (gesamt 10)
- Urheber
-
Rittmann, Clara
Supik, Ella S.
Drießen, Marion
Heinz, Friedemann D.
Botchak Mouafi, Yves P.
Schindler, Florian
Weiss, Charlotte
Schubert, Martin
Janz, Stefan
- DOI
-
10.1002/pssa.202400226
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2407241417033.533821577520
- Rechteinformation
-
Open Access; Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:49 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
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Beteiligte
- Rittmann, Clara
- Supik, Ella S.
- Drießen, Marion
- Heinz, Friedemann D.
- Botchak Mouafi, Yves P.
- Schindler, Florian
- Weiss, Charlotte
- Schubert, Martin
- Janz, Stefan
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