Hochschulschrift

Optische Untersuchungen an GaAs-Verarmungsrandschichten

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
30 cm
Umfang
92 Bl.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
Würzburg, Univ., Diss., 1981

Schlagwort
Halbleiter
Galliumarsenid
Halbleiter
Galliumarsenid

Urheber
Merz, Stephan

Inhaltsverzeichnis
Rechteinformation
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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 13:41 MESZ

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Objekttyp

  • Hochschulschrift

Beteiligte

  • Merz, Stephan

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