- Sprache
-
Deutsch
- Identifier
-
1211398730
Thema
Silicium; Epitaxie; Dünne Schicht; Silicide; Morphologie; Kristallographie; Elektronenmikroskopie
Beteiligte Personen und Organisationen
- URN
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
26.01.2023, 13:58 MEZ
Objekttyp
- Monografie
Ähnliche Objekte (12)
Electron microscopy characterization of manganese silicide layers on silicon
Epitaxial zinc oxide thin films and nanowires
Low temperature silicon epitaxy : defects and electronic properties
Wechselwirkung von Morphologie und Wasserstoff in passivierendem amorphem Silizium
Ionenstrahlinduzierte Wachstumsprozesse amorpher Schichten in Silicium
Die elektrophysikalischen Eigenschaften dünner epitaktischer Siliziumschichten
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Ordering in weakly bound molecular layers : organic-inorganic and organic-organic heteroepitaxy
Festphasenreaktionen metallischer Doppelschichten mit Silicium
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Bildung von CoSi2-Schichten auf Si(001)
Bedeckungs- und temperaturabhängige Strukturen von nicht kommensurablen, epitaktischen, organischen Dünnschichten
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen : Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
Electron microscopy characterization of manganese silicide layers on silicon
Epitaxial zinc oxide thin films and nanowires
Low temperature silicon epitaxy : defects and electronic properties
Wechselwirkung von Morphologie und Wasserstoff in passivierendem amorphem Silizium
Ionenstrahlinduzierte Wachstumsprozesse amorpher Schichten in Silicium
Die elektrophysikalischen Eigenschaften dünner epitaktischer Siliziumschichten
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Ordering in weakly bound molecular layers : organic-inorganic and organic-organic heteroepitaxy
Festphasenreaktionen metallischer Doppelschichten mit Silicium
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Bildung von CoSi2-Schichten auf Si(001)
Bedeckungs- und temperaturabhängige Strukturen von nicht kommensurablen, epitaktischen, organischen Dünnschichten
Van-der-Waals-terminierte Silizium-(111)-Oberflächen und Grenzflächen : Präparation, Morphologie und elektronische Eigenschaften
Electron microscopy characterization of manganese silicide layers on silicon
Epitaxial zinc oxide thin films and nanowires
Low temperature silicon epitaxy : defects and electronic properties
Wechselwirkung von Morphologie und Wasserstoff in passivierendem amorphem Silizium
Ionenstrahlinduzierte Wachstumsprozesse amorpher Schichten in Silicium
Die elektrophysikalischen Eigenschaften dünner epitaktischer Siliziumschichten
Silizium-Epitaxie aus Molekularströmen in verdünnter Wasserstoffatmosphäre
Ordering in weakly bound molecular layers : organic-inorganic and organic-organic heteroepitaxy
Festphasenreaktionen metallischer Doppelschichten mit Silicium
Elektronenmikroskopische Untersuchung der Bildung von CoSi2-Schichten auf Si(001)
Bedeckungs- und temperaturabhängige Strukturen von nicht kommensurablen, epitaktischen, organischen Dünnschichten