Modelling der physikalischen Prozesse bei der Rekristallisation von dünnen Siliziumschichten

Hochschulschrift

Object Details

• Location: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
• Dimensions: 21 cm
• Extent: III, 101 S.
• Language: Deutsch
• Notes: Ill., graph. Darst. ; Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 1993

Classification and Topics

• Keyword: Silicium ; Polykristall ; Rekristallisation ; Laser ; Korngrenze ; Kristallwachstum

Contributors, Places and Time

• Creator: Hu, Bo

Further information

• Table of contents: https://d-nb.info/931567181/04
• Rights: Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
• Last update: 11.06.2025, 2:22 PM CEST