Physikbasierte Kompaktmodellierung von SiC n-MOSFETs

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Umfang
Online-Ressource
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
Erlangen, Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU), Dissertation, 2022

Klassifikation
Elektrotechnik, Elektronik
Schlagwort
Siliciumcarbid
MOS-FET
Gate-Oxid
Elektrische Eigenschaft

Ereignis
Veröffentlichung
(wo)
Erlangen
(wer)
Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)
(wann)
2022
Urheber
Beteiligte Personen und Organisationen
Erlbacher, Tobias

URN
urn:nbn:de:bvb:29-opus4-200749
Rechteinformation
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Letzte Aktualisierung
15.08.2025, 07:21 MESZ

Datenpartner

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Beteiligte

  • Albrecht, Matthäus
  • Erlbacher, Tobias
  • Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg (FAU)

Entstanden

  • 2022

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