Hochschulschrift

Novel oxide buffer approach for GaN integration on Si(111) platform through Sc2O3/Y2O3 bi-layer

Alternative title
Innovativer Oxidansatz auf Basis von Sc2O3/Y2O3 Heterostrukturen zur Galliumnitrid-Integration auf der Si(111) Plattform
Location
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Extent
Online-Ressource
Language
Englisch
Notes
Cottbus, Brandenburgische Technische Universität Cottbus, Diss., 2012

Keyword
Lumineszenzdiode ; Galliumnitrid ; MOCVD-Verfahren

Event
Veröffentlichung
(where)
Cottbus
(who)
Universitätsbibliothek der BTU Cottbus
(when)
2013
Creator
Contributor
Schröder, Thomas

URN
urn:nbn:de:kobv:co1-opus-27904
Rights
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
Last update
14.08.2025, 10:49 AM CEST

Data provider

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Object type

  • Hochschulschrift

Associated

Time of origin

  • 2013

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