Hochschulschrift
Novel oxide buffer approach for GaN integration on Si(111) platform through Sc2O3/Y2O3 bi-layer
- Weitere Titel
-
Innovativer Oxidansatz auf Basis von Sc2O3/Y2O3 Heterostrukturen zur Galliumnitrid-Integration auf der Si(111) Plattform
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
Cottbus, Brandenburgische Technische Universität Cottbus, Diss., 2012
- Schlagwort
-
Lumineszenzdiode ; Galliumnitrid ; MOCVD-Verfahren
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Cottbus
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der BTU Cottbus
- (wann)
-
2013
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
-
Schröder, Thomas
- URN
-
urn:nbn:de:kobv:co1-opus-27904
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
14.08.2025, 10:49 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
- Tarnawska, Lidia
- Schröder, Thomas
- Universitätsbibliothek der BTU Cottbus
Entstanden
- 2013
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