Anfangsstadien der thermischen Nitridation der Silizium-(100)-Oberfläche unter Verwendung von Ammoniak und Stickstoffmonoxid

Standort
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
Maße
21 cm
Umfang
IV, 103 S.
Sprache
Deutsch
Anmerkungen
graph. Darst.
München, Univ., Diss., 1993

Schlagwort
Silicium
Kristallfläche
Siliciumnitrid
Dünne Schicht
Schichtwachstum
Photoelektronenspektroskopie

Urheber

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Letzte Aktualisierung
11.06.2025, 14:23 MESZ

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