Hochschulschrift

Silicon carbide field-effect transistor (FET) transducers for harsh environment applications

zu Verbundenen Objekten

Standort: Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main

ISBN: 9783844016819

Maße: 24 cm, 255 g

Umfang: IX, 126, XVII S.

Sprache: Englisch

Anmerkungen: Ill., graph. Darst.
Zugl.: Erlangen, Nürnberg, Univ., Diss., 2012

Klassifikation: Elektrotechnik, Elektronik

Schlagwort: MIS-FET
Siliciumcarbid
Hochtemperatur
Herstellung
Zuverlässigkeit
Langzeitverhalten
Temperaturbeständigkeit
Feuchtigkeit
Gassensor

Ereignis: Veröffentlichung

(wo): Aachen

(wer): Shaker

(wann): 2013

Urheber: Daves, Walter

Inhaltsverzeichnis: https://d-nb.info/1029941300/04

Rechteinformation: Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.

Letzte Aktualisierung: 11.06.2025, 14:13 MESZ

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Objekttyp

Hochschulschrift

Beteiligte

Daves, Walter
Shaker

Entstanden

2013

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