- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Englisch
- Anmerkungen
-
RWTH Aachen University, Dissertation, 2017
- Klassifikation
-
Physik
- Schlagwort
-
Silicon
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2017
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18154/RWTH-2017-08193
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2018071111270795229839
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:27 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Beteiligte
- Luong, Gia Vinh
- Knoch, Joachim
- Mantl, Siegfried
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2017
Ähnliche Objekte (12)
Ge(Sn)-based vertical gate-all around nanowire MOSFETs and inverters for low power logic
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Silicon tunnel FETs for digital and analogue applications
Herstellung von Multi-Gate-Strukturen zur Realisierung von elektrostatisch konfigurierbaren Bauelementen
Gate-All-Around Silicon Nanowire Tunnel FETs for Low Power Applications
On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors
Nanoelectronics : from device physics and fabrication technology to advanced transistor concepts
Nanoelectronics : device physics, fabrication, simulation
Editorial
Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors
Ultrasteep Slope Cryogenic FETs Based on Bilayer Graphene
Ge(Sn)-based vertical gate-all around nanowire MOSFETs and inverters for low power logic
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Silicon tunnel FETs for digital and analogue applications
Herstellung von Multi-Gate-Strukturen zur Realisierung von elektrostatisch konfigurierbaren Bauelementen
Gate-All-Around Silicon Nanowire Tunnel FETs for Low Power Applications
On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors
Nanoelectronics : from device physics and fabrication technology to advanced transistor concepts
Nanoelectronics : device physics, fabrication, simulation
Editorial
Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors
Ultrasteep Slope Cryogenic FETs Based on Bilayer Graphene
Ge(Sn)-based vertical gate-all around nanowire MOSFETs and inverters for low power logic
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Modeling and realization of an ultra short channel MOSFET
Silicon tunnel FETs for digital and analogue applications
Herstellung von Multi-Gate-Strukturen zur Realisierung von elektrostatisch konfigurierbaren Bauelementen
Gate-All-Around Silicon Nanowire Tunnel FETs for Low Power Applications
On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors
Nanoelectronics : from device physics and fabrication technology to advanced transistor concepts
Nanoelectronics : device physics, fabrication, simulation
Editorial
Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors