Hochschulschrift
Analyse der Möglichkeiten und Grenzen der Lebensdauer-Spektroskopie an multikristallinem Silizium mittels mikrowellendetektierter Photoleitung
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Maße
-
30 cm
- Umfang
-
141 Seiten
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Illustrationen, Diagramme
Technische Universität Bergakademie Freiberg, Dissertation, 2012
- Inhaltsverzeichnis
- Rechteinformation
-
Bei diesem Objekt liegt nur das Inhaltsverzeichnis digital vor. Der Zugriff darauf ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
11.06.2025, 14:24 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Deutsche Nationalbibliothek. Bei Fragen zum Objekt wenden Sie sich bitte an den Datenpartner.
Objekttyp
- Hochschulschrift
Beteiligte
Entstanden
- 2012
Ähnliche Objekte (12)
Photoleitung in verformtem Silizium
Photoleitung in plastisch verformtem Silicium [Silizium]
Untersuchung von Defektreaktionen in Silicium mittels Ladungsträger-Lebensdauer-Spektroskopie
Transiente Photoleitung im amorphem Silizium und Silizium-Germanium-Legierungen
Stationäre und nichtstationäre Photoleitung von amorphem Silizium
Transiente Photoleitung an optoelektronischen Bauelementen aus amorphem Silizium
Untersuchung der Photoleitung in mikrokristallinem Silizium für photovoltaische Anwendungen
Photoleitung aus Oberflächenzuständen reiner Silizium-Spaltflächen bei 80 K
Dunkel- und gammainduzierte Photoleitung in hochreinem Silizium bei tiefen Temperaturen
Magnetotransport, Mikrowellen-Photoleitung und Ferninfrarot-Spektroskopie an Antidot- und Quantendot-Systemen
Photoleitung in Bleiphthalocyanin
Photoleitung in Polymeren
Photoleitung in verformtem Silizium
Photoleitung in plastisch verformtem Silicium [Silizium]
Untersuchung von Defektreaktionen in Silicium mittels Ladungsträger-Lebensdauer-Spektroskopie
Transiente Photoleitung im amorphem Silizium und Silizium-Germanium-Legierungen
Stationäre und nichtstationäre Photoleitung von amorphem Silizium
Transiente Photoleitung an optoelektronischen Bauelementen aus amorphem Silizium
Untersuchung der Photoleitung in mikrokristallinem Silizium für photovoltaische Anwendungen
Photoleitung aus Oberflächenzuständen reiner Silizium-Spaltflächen bei 80 K
Dunkel- und gammainduzierte Photoleitung in hochreinem Silizium bei tiefen Temperaturen
Magnetotransport, Mikrowellen-Photoleitung und Ferninfrarot-Spektroskopie an Antidot- und Quantendot-Systemen
Photoleitung in Bleiphthalocyanin
Photoleitung in Polymeren
Photoleitung in verformtem Silizium
Photoleitung in plastisch verformtem Silicium [Silizium]
Untersuchung von Defektreaktionen in Silicium mittels Ladungsträger-Lebensdauer-Spektroskopie
Transiente Photoleitung im amorphem Silizium und Silizium-Germanium-Legierungen
Stationäre und nichtstationäre Photoleitung von amorphem Silizium
Transiente Photoleitung an optoelektronischen Bauelementen aus amorphem Silizium
Untersuchung der Photoleitung in mikrokristallinem Silizium für photovoltaische Anwendungen
Photoleitung aus Oberflächenzuständen reiner Silizium-Spaltflächen bei 80 K
Dunkel- und gammainduzierte Photoleitung in hochreinem Silizium bei tiefen Temperaturen
Magnetotransport, Mikrowellen-Photoleitung und Ferninfrarot-Spektroskopie an Antidot- und Quantendot-Systemen
Photoleitung in Bleiphthalocyanin