Epitaxie, Prozessierung und Charakterisierung von AlGaN-Gradientenstrukturen und GaN/AlGaN-Heterostrukturen für die Anwendung von polarsiationsinduzierten Löcherdichten
- Standort
-
Deutsche Nationalbibliothek Frankfurt am Main
- Umfang
-
Online-Ressource
- Sprache
-
Deutsch
- Anmerkungen
-
Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen, Dissertation, 2024
- Schlagwort
-
Galliumnitrid
Heterostruktur
MOCVD-Verfahren
Feldeffekttransistor
HEMT
- Ereignis
-
Veröffentlichung
- (wo)
-
Aachen
- (wer)
-
Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
- (wann)
-
2024
- Urheber
- Beteiligte Personen und Organisationen
- DOI
-
10.18154/RWTH-2024-10981
- URN
-
urn:nbn:de:101:1-2502031500189.907545759673
- Rechteinformation
-
Der Zugriff auf das Objekt ist unbeschränkt möglich.
- Letzte Aktualisierung
-
15.08.2025, 07:22 MESZ
Datenpartner
Dieses Objekt wird bereitgestellt von:
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Beteiligte
- Beckmann, Carsten
- Vescan, Andrei
- Rau, Uwe
- Universitätsbibliothek der RWTH Aachen
Entstanden
- 2024
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